发烧友10周年庆典,全网超值优惠来袭!千元现金券,下单抽奖赶紧参与》》

半导体产业链九大厂商推进IPO,上海博通和卓胜微备受关注

大发快三线路检测_有在大发快三害死人发烧友网 2018-06-20 09:34 次阅读

1.半导体产业链九大厂商推进IPO,上海博通和卓胜微备受关注

截至今年6月初,中国证监会受理首发及发行存托凭证企业310家,其中,已过会28家,未过会282家。未过会企业中正常待审企业275家,中止审查企业7家。据集微网不完全统计,在这310家企业中涵盖半导体产业链共9家厂商已经过会或是正在推进IPO,将有望在主板、中小板以及创业板上市。

其中拟在主板上市的三家企业分别北京元六鸿远大发快三线路检测_有在大发快三害死人科技、博通集成电路(上海)、上海晶丰明源半导体;拟在中小板上市的四家企业分别为成都天奥大发快三线路检测_有在大发快三害死人、信利光电、湖北五方光电、亚世光电;拟在创业板上市的两家企业分别为江苏卓胜微大发快三线路检测_有在大发快三害死人、常州银河世纪微大发快三线路检测_有在大发快三害死人,共计9家。

2.超出预期,耐威科技上半年净利预增70%-100%

6月15日,耐威科技发布业绩预告,预计上半年净利为4095万元-4818万元,同比增长约70%-100%。 据披露,耐威科技二季度MEMS业务延续一季度火爆状态,利润暴增。2017年全球MEMS晶圆代工厂营收排名中,全资子公司Silex超过台积电和索尼排名第三,纯代工领域继续保持全球第二。

今年以来,Silex继续保持火爆状态,MEMS工艺开发及晶圆制造业务在手订单、产能及利用率、净利率等均达到近年来的最好水平。预计公司上半年MEMS贡献利润将超4000万,下半年仍将保持高盈利水平。

3.捷捷微电:控股股东出资2亿参与设立半导体产业投资基金

捷捷微电日前发布公告称,公司控股股东捷捷投资用自有资金以有限合伙人方式与深圳友前投资管理有限公司合作设立产业并购投资基金,并购基金以南通友捷股权投资管理中心(有限合伙)为运作平台,并签署了《南通友捷股权投资管理中心(有限合伙)合伙协议》。

并购基金的目标规模为人民币20100万元,其中友前投资为基金的普通合伙人和执行事务合伙人,认缴出资人民币100万元;捷捷投资作为并购基金的有限合伙人,认缴出资人民币20000万元。

4.小米宣布先香港上市再境内发行CDR,证监会表示尊重

小米官方微博早间表示,公司经过反复慎重研究,决定分步实施在香港和境内的上市计划,即先在香港上市之后,再择机通过发行CDR的方式在境内上市。为此,公司将向中国证券监督管理委员会发起申请,推迟召开发审委会议审核公司的CDR发行申请。

5.星徽精密拟15.3亿收购泽宝,业绩对赌三年利润合计4.4亿

星徽精密日前披露拟以“增发+现金”的方式购买深圳市泽宝大发快三线路检测_有在大发快三害死人商务股份有限公司100%的股权,交易价格为15.3亿元。本次发行股份购买资产的股票发行价格为8元/股,共计发行1.11亿股,支付现金对价6.39亿元。本次交易同时设定业绩对赌,约定泽宝股份2018 年度、 2019年度和2020年度的承诺净利润分别不低于 1.08 亿元、1.45 亿元和 1.90亿元,共计4.43亿元。

星徽精密表示,本次重组完成后,泽宝股份将成为星徽精密的全资子公司,上市公司的主营业务构成将形成“精密制造+跨境电商”双轮驱动的格局。

6.华润微大发快三线路检测_有在大发快三害死人原法务总监王颀投案

6月17日,在中央反腐败协调小组国际追逃追赃工作办公室统筹协调下,经中央有关部门和江苏、江西省纪委监委扎实工作,涉嫌职务犯罪的红通人员王颀被迫投案。这是6月6日中央追逃办对外发布《关于部分外逃人员有关线索的公告》后,首名投案的外逃人员。

7.功率器件市场迎来洗牌潮,国内一批MOSFET厂商将加速倒闭

“所有功率器件都在涨价,其中电容领涨,MOSFET、IGBT二极管等都在持续跟进涨价潮。”业内人士表示,自去年以来,电容涨幅超过十几倍,MOSFET、IGBT整体涨幅超过40%,未来很长一段时间功率器件涨价依旧坚挺。

更严峻的是,在上游晶圆产能持续紧张的现况下,供不应求的产能只会去保大客户,中小客户很难拿到单,生存压力很大。整个功率器件市场随之开始“洗牌”,国内尤其是华南地区很多小厂商正加速倒闭。

8.美参议院投票否决"解除中兴禁令" 中兴H股暴跌19%

6月19日消息,据报道,美国参议院周一通过了规模达7160亿美元的国防政策法案,支持美国总统唐纳德·特朗普(Donald Trump)提出的扩大和增强军事实力的呼吁。但在对中国电信公司中兴通讯(ZTE)的问题上,该法案与白宫解除禁令的政策唱反调。

原文标题:【芯闻3分钟】美参议院否决解除中兴禁令;华润微大发快三线路检测_有在大发快三害死人总监王颀投案;半导体产业链九大厂商推进IPO;小米宣布上市后发行CDR...

文章出处:【微信号:elecfans,微信公众号:大发快三线路检测_有在大发快三害死人发烧友网】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

第七部:分立器件搭建BUCK电源

张飞全集《全网最完整最系统硬件电路工程师必学经典课程》  了解详情->>http://url.ele
发表于 07-26 00:00 32607次 阅读
第七部:分立器件搭建BUCK电源

MOSFET减少功耗

DN363 - 用 MOSFET 来替代“或”二极管以减少发热和节省空间...
发表于 09-18 06:24 8次 阅读
MOSFET减少功耗

模拟大发快三线路检测_有在大发快三害死人技术基础第三版PDF大发快三线路检测_有在大发快三害死人书免费下载

《模拟大发快三线路检测_有在大发快三害死人技术基础第三版》是2006年清华大学大发快三线路检测_有在大发快三害死人学教研组出版社出版的图书,作者是杨素行。全书内容共....
发表于 09-17 16:41 14次 阅读
模拟大发快三线路检测_有在大发快三害死人技术基础第三版PDF大发快三线路检测_有在大发快三害死人书免费下载

三星已成5G领域领跑者 未来方向将如何

去年8月,三星宣布了有史以来最大的投资计划——未来三年计划新增180万亿韩元投资,这是韩国企业集团史....
的头像 半导体动态 发表于 09-17 14:17 240次 阅读
三星已成5G领域领跑者 未来方向将如何

我国功率半导体需求快速增长 国产替代空间将更广阔

近日,华润微大发快三线路检测_有在大发快三害死人回复了上交所科创板上市的首轮问询,对股权结构等52个问题进行了详细说明。6月26日,....
的头像 半导体动态 发表于 09-17 11:50 212次 阅读
我国功率半导体需求快速增长 国产替代空间将更广阔

压阻式压力传感器应用

70年代以来制成了周边固定支撑的电阻和硅膜片的一体化硅杯式扩散型压力传感器。它不仅克服了粘片结构的固....
发表于 09-17 09:44 25次 阅读
压阻式压力传感器应用

应变式压力传感器优缺点

应变片尺寸小、重量轻、使用方便、测量速度快。测量时对被检测的工作组昂太和应力分布基本上无影响。既可用....
发表于 09-17 09:11 32次 阅读
应变式压力传感器优缺点

浅析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅电力大发快三线路检测_有在大发快三害死人器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国...
发表于 09-17 09:05 7次 阅读
浅析SiC-MOSFET

SOA与Tj温度评估MOSFET操作

SOA與Tj通常是用來評估MOSFET操作是否安全可靠的二個判斷機制,甚至當MOSFET發生損壞時,也會使用SOA與Tj來...
发表于 09-17 09:05 20次 阅读
SOA与Tj温度评估MOSFET操作

LLC电路中的MOSFET

LLC电路简介       LLC,即半桥谐振电路,随着开关电源功率密度的增加,需要我们不断增加开关频率,...
发表于 09-17 09:05 5次 阅读
LLC电路中的MOSFET

单色数码管的驱动方式是什么?

数码管按段数可分为七段数码管和八段数码管,八段数码管比七段数码管多一个发光二极管单元,也就是多一个小数点(DP)这个小数...
发表于 09-17 09:01 12次 阅读
单色数码管的驱动方式是什么?

金线焊接的详细教程免费下载

1. 所谓的金线焊接所谓的金线焊接是指端子与端子之间结合的一种方法。与半导体指有关的结合方法,真是数....
发表于 09-17 08:00 10次 阅读
金线焊接的详细教程免费下载

大数据量处理和传输的增长将提高对连接器的要求

当前,连接器已经成为大发快三线路检测_有在大发快三害死人元件的第二大支柱产业,根据最新的连接器权威研究机构Bishop& Assoc....
发表于 09-16 16:51 37次 阅读
大数据量处理和传输的增长将提高对连接器的要求

士兰微聚焦半导体特色工艺 IDM优势明显

作为国内目前为数不多的以IDM为发展模式的综合型半导体产品公司,士兰微近年来一直聚焦特色工艺,以高强....
的头像 半导体动态 发表于 09-16 11:50 535次 阅读
士兰微聚焦半导体特色工艺 IDM优势明显

半导体产业今年起面临库存调整压力 硅晶圆厂获利表现开始走缓

硅晶圆族群今年受到半导体产业面临库存调整影响,获利表现走缓,不过,由于客户库存大多已去化至合理水位,....
的头像 半导体动态 发表于 09-16 11:40 359次 阅读
半导体产业今年起面临库存调整压力 硅晶圆厂获利表现开始走缓

目前存储器的种类繁多且应用非常之广

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广,有很多层次,在数字系统中,....
发表于 09-16 11:19 127次 阅读
目前存储器的种类繁多且应用非常之广

Imagination助力加速异构SoC设计,领先IP技术加速“自主创芯”

“第三届‘芯动北京’中关村IC产业论坛”在北京中关村集成电路设计园举行。本次论坛以“构建产业生态,加....
Imagination助力加速异构SoC设计,领先IP技术加速“自主创芯”

MAX5944评估套件的数据手册免费下载

MAX5944评估套件(EV套件)电路演示了MAX5944集成电路的多种功能。MAX5944 IC是....
发表于 09-16 08:00 23次 阅读
MAX5944评估套件的数据手册免费下载

半导体的特性和半导体二极管的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是半导体的特性和半导体二极管的详细资料说明包括了:半导体的特性,半导体二极....
发表于 09-16 08:00 47次 阅读
半导体的特性和半导体二极管的详细资料说明

ZC706风扇为1.8v Vadj时停止运行

嗨,大家好- 我正在使用的FMC扩展要求我将Vadj设置为1.8v。 当我这样做时(使用TI Fusion软件),风扇停止运行。 我假...
发表于 09-16 07:51 21次 阅读
ZC706风扇为1.8v Vadj时停止运行

一文看懂集成电路的设计流程

集成电路设计和房屋设计原理上是相似的。假设你要设计房屋,假设你要设计IC((integrated c....
的头像 半导体动态 发表于 09-15 17:32 205次 阅读
一文看懂集成电路的设计流程

实现3nm技术节点需要突破哪些半导体关键技术

将互连扩展到3nm技术节点及以下需要多项创新。IMEC认为双大马士革中的单次显影EUV,Superv....
的头像 半导体动态 发表于 09-15 17:23 830次 阅读
实现3nm技术节点需要突破哪些半导体关键技术

Wolfspeed推出适用于电动车充电器的1200V 450A全碳化硅半桥模块

日前,Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半桥模块CAB450M12XM3,该产品....
发表于 09-14 10:54 125次 阅读
Wolfspeed推出适用于电动车充电器的1200V 450A全碳化硅半桥模块

DC/DC转换器的功率级寄生效应解析

DC/DC 转换器中半导体器件的高频开关特性是主要的传导和辐射发射源。本文章系列 的第 2 部分回顾....
发表于 09-14 10:08 31次 阅读
DC/DC转换器的功率级寄生效应解析

Globalfoundries对台积电诉讼最新详细进展

Globalfoundries最近针对竞争对手半导体代工厂台积电发起专利侵权诉讼。该诉讼使两家提供半....
的头像 刘伟DE 发表于 09-14 00:36 2603次 阅读
Globalfoundries对台积电诉讼最新详细进展

关于嵌入式系统中的低功耗设计

在嵌入式系统中,低功耗设计是在产品规划以及设计过程中必须要面对的问题。半导体芯片每18个月性能翻倍。....
发表于 09-13 13:36 27次 阅读
关于嵌入式系统中的低功耗设计

矽格股份新的野望在苏州建立新工厂和成立测试基地

9月10日,高新区与矽格股份有限公司举办项目签约仪式。矽格股份有限公司将在高新区注册新公司,设立预计....
矽格股份新的野望在苏州建立新工厂和成立测试基地

目前国内存储芯片企业的发展现状

日韩作为存储芯片的主要玩家,其产品几乎垄断了全球主流的市场。近年来,国内对存储芯片的重视,也诞生了诸....
发表于 09-12 17:32 410次 阅读
目前国内存储芯片企业的发展现状

三星将于今年内完成4nm工艺开发 2020年完成3nm工艺开发

尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了“三星....
的头像 半导体动态 发表于 09-12 10:44 653次 阅读
三星将于今年内完成4nm工艺开发 2020年完成3nm工艺开发

瑞萨大发快三线路检测_有在大发快三害死人推出RX72M工业网络解决方案,加速工业从站设备开发

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨大发快三线路检测_有在大发快三害死人株式会社(TSE:6723)今日宣布推出RX72M工业网络解决....
瑞萨大发快三线路检测_有在大发快三害死人推出RX72M工业网络解决方案,加速工业从站设备开发

矽格股份将在苏州高新区建立半导体测试基地 总投资达1亿美元

9月10日苏州高新区与矽格股份有限公司举行项目签约仪式。
的头像 半导体动态 发表于 09-12 10:38 312次 阅读
矽格股份将在苏州高新区建立半导体测试基地 总投资达1亿美元

什么是MOS管的米勒效应?

MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSF...
发表于 09-12 09:05 47次 阅读
什么是MOS管的米勒效应?

什么是MEMS(微机电系统)陀螺仪?

什么是MEMS?MEMS = Micro-Electro-Mechanical System, 是用半导体技术,在半导体材料上刻蚀出来的微机械结构。下图...
发表于 09-12 09:05 221次 阅读
什么是MEMS(微机电系统)陀螺仪?

STEVAL-ISA094V1,采用L7981的演示板,能够根据应用条件向负载提供高达3 A的电流

STEVAL-ISA094V1,采用L7981的演示板,3采用HSOP8封装的降压型开关电源。 L7981具有嵌入式功率MOSF...
发表于 09-12 08:37 434次 阅读
STEVAL-ISA094V1,采用L7981的演示板,能够根据应用条件向负载提供高达3 A的电流

ICMAX存储器能否成为国产存储行业的突破口

从原始的结绳记事,到现在的存储器,记录变得越来越简便,生活瞬间在一次次的记录中成为永恒,而更多的记录....
发表于 09-11 17:26 128次 阅读
ICMAX存储器能否成为国产存储行业的突破口

我国半导体产业公司聚能晶源将GaN外延材料项目投产8英寸GaN

9月10日,聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”在青岛市....
我国半导体产业公司聚能晶源将GaN外延材料项目投产8英寸GaN

两年专利纠纷:中微半导体最终胜诉台湾盛群半导体企业

近日,历时两年多的台湾盛群半导体股份公司(以下简称“台湾盛群”)诉深圳市中微半导体有限公司(以下简称....
发表于 09-11 15:46 133次 阅读
两年专利纠纷:中微半导体最终胜诉台湾盛群半导体企业

摩尔时代集成电路发展的三大支撑技术使得后摩尔定律得以继续

近日,华进半导体封装先进技术研发中心有限公司副总经理秦舒表示,摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投....
的头像 半导体动态 发表于 09-11 15:11 302次 阅读
摩尔时代集成电路发展的三大支撑技术使得后摩尔定律得以继续

耐威科技第三代半导体材料制造项目正式投产 将打造世界级氮化镓材料公司

9月10日,北京耐威科技股份有限公司(以下简称“耐威科技”)发布公告称,公司控股子公司聚能晶源(青岛....
的头像 半导体动态 发表于 09-11 15:06 1748次 阅读
耐威科技第三代半导体材料制造项目正式投产 将打造世界级氮化镓材料公司

聚力成半导体成功试产氮化镓外延片 将有望进一步推动国内氮化镓产业发展

重庆大足区人民政府网消息显示,近日,聚力成半导体(重庆)有限公司工厂成功试产的第三代半导体产品氮化镓....
的头像 半导体动态 发表于 09-11 15:01 412次 阅读
聚力成半导体成功试产氮化镓外延片 将有望进一步推动国内氮化镓产业发展

韩国半导体硅晶圆厂SKSiltron拟4.5亿美元收购美国化学大厂杜邦的碳化硅晶圆事业

朝鲜日报、中央日报日文版11日报导,韩国唯一的半导体硅晶圆厂SK Siltron于10日举行的董事会....
的头像 半导体动态 发表于 09-11 14:50 350次 阅读
韩国半导体硅晶圆厂SKSiltron拟4.5亿美元收购美国化学大厂杜邦的碳化硅晶圆事业

第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”报名开启

第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”将于9月19日上午在深圳五洲宾馆举行。来自中国和欧洲的专家学者、企....
第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”报名开启

5G相关核心产业链有哪些?

化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(S...
发表于 09-11 11:51 154次 阅读
5G相关核心产业链有哪些?

聚合物半导体实现高效分子掺杂

9月3日消息,日本东京大学的Shun Watanabe教授(通讯作者)团队报道了一种利用阴离子交换来....
聚合物半导体实现高效分子掺杂

新氮化镓IC将进一步巩固PI在市场上的优势地位

氮化镓(GaN)作为半导体第三代材料,近年来高频进入业界视野。各大IC厂商先后涉足氮化镓领域,源由氮....
新氮化镓IC将进一步巩固PI在市场上的优势地位

柔性半导体服务制造新基地

西安在柔性显示产业领域具有较强基础,有彩虹集团、柔性大发快三线路检测_有在大发快三害死人研究院等领头单位,其中彩虹集团是中国生产量最....
柔性半导体服务制造新基地

TDM3478 N通道增强型MOSFET的数据手册免费下载

TDM3478采用先进的沟槽技术,提供卓越的无线电数据系统(ON)和低栅电荷。该装置适合作为负载开关....
发表于 09-10 08:00 58次 阅读
TDM3478 N通道增强型MOSFET的数据手册免费下载

近年来FPGA的市场发展以及未来发展趋势

FPGA虽积极使用最先进的工艺技术提升效能、降低成本,但工艺日益缩密的结果是:晶体管的漏电流(Lea....
发表于 09-09 17:27 182次 阅读
近年来FPGA的市场发展以及未来发展趋势

中国半导体功率器件品牌公司

昨日,第十三届中国半导行业协会分立器件年会暨2019年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛在青岛顺利....
中国半导体功率器件品牌公司

3DIC的运用于与对于半导体的影响

对于我国的半导体行业来说,碳纳米管+RRAM+ILV 3DIC是一个值得关注的领域。目前碳纳米管+R....
3DIC的运用于与对于半导体的影响

模拟芯片在未来几年内将得到快速增长

据市场研究公司IC Insights的数据,模拟芯片市场受电源管理和汽车业扩张的推动,预计未来五年将....
发表于 09-09 11:43 198次 阅读
模拟芯片在未来几年内将得到快速增长

高频开关电源的特点及系统结构组成

高频开关电源(也称为开关型整流器SMR)通过MOSFET或IGBT的高频工作,开关频率一般控制在50....
的头像 牵手一起梦 发表于 09-09 11:02 735次 阅读
高频开关电源的特点及系统结构组成

周子学:全球半导体市场仍处于上升的趋势,中国市场发展潜力可期

在工业和信息化部、上海市人民政府指导下,中国半导体行业协会、中国大发快三线路检测_有在大发快三害死人信息产业发展研究院联合主办的第二....
周子学:全球半导体市场仍处于上升的趋势,中国市场发展潜力可期

施耐德电气的数字化配电解决方案助力新一代高科技大发快三线路检测_有在大发快三害死人厂房建设

近年来,作为支撑中国经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业,集成电路产业在政策支持和市场需求双重拉....
施耐德电气的数字化配电解决方案助力新一代高科技大发快三线路检测_有在大发快三害死人厂房建设

韩国多家半导体企业开始测试国产半导体材料

韩国三星大发快三线路检测_有在大发快三害死人开始在量产半导体的生产线上使用韩国产氟化氢一事9月4日浮出水面。自日本政府7月加强3种半....
的头像 半导体动态 发表于 09-09 10:29 542次 阅读
韩国多家半导体企业开始测试国产半导体材料

半导体产业占据越来越大份额 发展面临三大要素

近期,美国半导体行业协会轮值主席、美光科技公司总裁兼CEO桑杰·梅赫罗特拉(Sanjay Mehro....
的头像 半导体动态 发表于 09-09 10:09 410次 阅读
半导体产业占据越来越大份额 发展面临三大要素

Q2’19全球半导体景气触底回升,IC设计、晶圆代工与封测十大排名花落谁家?

2019年第二季半导体市场逐渐摆脱产业链库存过高的阴霾,IC设计业者的运营动能回稳;晶圆代工厂的产能....
发表于 09-09 09:32 557次 阅读
Q2’19全球半导体景气触底回升,IC设计、晶圆代工与封测十大排名花落谁家?

上海福赛特自主研发的LED半导体晶圆倒片机将于年内在三安生产线投入量产运营

由上海福赛特智能设备有限公司独立研发的LED半导体晶圆倒片机将于年内在三安生产线投入量产运营。该设备....
的头像 半导体动态 发表于 09-08 10:37 309次 阅读
上海福赛特自主研发的LED半导体晶圆倒片机将于年内在三安生产线投入量产运营

五位大咖谈集成电路产业发展:创新、合作和大趋势一个都不能少

9月3日,在第二届全球IC企业家大会上,中芯国际、新思科、默克等公司和机构大咖畅谈半导体产业发展之路....
的头像 渔翁先生 发表于 09-07 00:18 3372次 阅读
五位大咖谈集成电路产业发展:创新、合作和大趋势一个都不能少

物联网技术如何提供一个嵌入式软件基础

IoT这个术语基本上可以适用于当今任何具有联接性、感知/驱动或某种形式的远程数据处理的行业。
发表于 09-06 17:02 1039次 阅读
物联网技术如何提供一个嵌入式软件基础

无电源怎样实现高性能连接

增强型FET用于当今绝大多数大发快三线路检测_有在大发快三害死人产品中,工作模式基于简单的概念。
发表于 09-06 16:54 1039次 阅读
无电源怎样实现高性能连接

NCP81143 VR多相控制器

43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-09 11:36 192次 阅读
NCP81143 VR多相控制器

NCV8853 汽车级非同步降压控制器

3是一款可调输出非同步降压控制器,用于驱动外部P沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式过流保护,打嗝模式短路保护。其他功能包括可编程开关频率,低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 带内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压范围内的良好瞬态响应 0.8 V 2%参考电压 精确的电压调节 3.1 V至36 Vdc的宽输入电压范围,44 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO ) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 在启动期间降低浪涌电流并避免输出过冲 睡眠模式下的低静态电流 睡眠电流非常低 电力良好(PG) 简单数字电源监控 外部时钟同步高达600 kHz 允许频率同步和扩频操作 逐周期电流限制保护(CL) 防止过电流条件 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热缩(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 汽车信息娱乐 仪表 集群 汽车系统...
发表于 07-29 20:02 181次 阅读
NCV8853 汽车级非同步降压控制器

NCP81246 用于IMVP8的三轨多相降压控制器

46是一款3轨多相降压解决方案,针对Intel IMVP8兼容CPU进行了优化。它包含一个两相和两个单相导轨,支持Core,GT和SA,配置如下2ph-1ph-1ph,1ph-2ph-1ph和1ph-1ph-1ph。该部件专为Notebook和Ultrabook应用程序而设计。两相控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,以提供精确调节的功率。两个单相控制器可用于Core,GT或SA导轨。两者均利用安森美半导体的专利高性能RPM操作。 RPM控制可最大化瞬态响应,同时允许不连续频率缩放操作和连续模式全功率操作之间的平滑过渡。单相轨道具有超低偏移电流监视放大器,具有可编程偏移补偿,可实现超高精度电流监视.NCP81246提供三个内部MOSFET驱动器,具有单个外部PWM信号 特性 优势 3内部驱动程序 允许高度集成,减少整体解决方案PCB占用空间 高性能RPM控制系统 新1相架构减少了补偿元件PWM输出提供了布线灵活性 多相轨的双边沿调制 对瞬态加载的最快初始响应 动态VID前馈 自适应电压定位(AVP) 开关频率范围为300 kHz - 750 kHz 相间动态电流...
发表于 07-29 20:02 261次 阅读
NCP81246 用于IMVP8的三轨多相降压控制器

NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

6是一款非同步升压控制器,设计用于在启动 - 停止车辆运行电池电压下降期间提供最小输出电压。控制器驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括逐周期电流限制,保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式操作。当电源电压低于7.3 V时,NCV8876使能,当电源电压低于6.8 V时启动升压操作。 使用 NCV8876评估板SystemVision设计和模拟环境验证参数和功能性能,并通过实时虚拟测试更好地了解功能和行为。 特性 优势 自动启用低于7.3 V (工厂可编程) 紧凑型SOIC8封装的额外功能 -40 C至150 C操作 汽车级 2 V至45 V操作 通过曲柄转动和装载转储进行操作 低静态曲线睡眠模式(...
发表于 07-29 20:02 38次 阅读
NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

NCV1034 AEC Qual - 100 V同步降压控制器

4是一款高压PWM控制器,专为高性能同步降压DC-DC应用而设计。 NCV1034采用高达500 kHz的可编程开关频率驱动一对外部N-MOSFET,可灵活调整IC的工作,以满足系统级要求。外部同步功能允许简化系统级过滤器设计。对于低压应用,可以使用内部1.25 V基准电压精确调节输出电压。提供欠压锁定和打嗝电流限制等保护,以便在发生故障时提供所需的系统级安全性。 特性 优势 输入电压高达100V + 48V或+ 60V输入使用的宽输入电压 2输出驱动能力 能够使用更大尺寸的FET提高效率 1.25 V +/- 2.5%反温电压 整个温度范围内的系统级精度优异 外部频率同步 能够同步到外部频率或输出同步脉冲 可编程切换频率高达500 kHz 效率和尺寸优化 AEC-Q100合格 中压DC-DC系统 应用 终端产品 48 V非隔离式DC-DC转换器 汽车高压DC-DC转换器 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 171次 阅读
NCV1034 AEC Qual  -  100 V同步降压控制器

NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

1是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 在宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 精确的电压调节 宽输入电压范围3.2 V至40 Vdc,45 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 Decr缓解浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭电流 周期 - 循环电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关机(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启停系统 SEPIC(同相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 242次 阅读
NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

3是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 LED PWM调光能力 0.2 V 2%参考电压恒流负载 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 宽输入电压范围为3.2 V至45 V 精确的电流/电压调节 输入欠压锁定 适用于各种各样的应用程序 内部软启动 禁用启动在欠压条件下 睡眠模式下的低静态电流 降低浪涌电流 逐周期电流限制保护 电流非常低 打嗝模式过流保护 防止过电流情况 热关机 热保护IC 应用 终端产品 LED照明,背光,前照灯 启停系统 升压,SEPIC(非反相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 163次 阅读
NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...
发表于 07-29 19:02 185次 阅读
NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...
发表于 07-29 19:02 262次 阅读
NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 29次 阅读
LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT®可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 大发快三线路检测_有在大发快三害死人书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...
发表于 07-29 19:02 31次 阅读
FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
发表于 07-29 19:02 25次 阅读
FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 56次 阅读
NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
发表于 07-29 19:02 56次 阅读
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 07-29 19:02 38次 阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 07-29 19:02 24次 阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 27次 阅读
NCP81141 Vr12.6单相控制器

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
发表于 07-29 18:02 252次 阅读
NCP81147 低压同步降压控制器

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 29次 阅读
NCP5230 低压同步降压控制器

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 07-29 17:02 30次 阅读
NCP3030 同步PWM控制器